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首页  >  产品分类  >  分立器件  >  功率模块  >  IGBT模块
品号 封装 集电极
发射极电压
VCES min.
集电极电流IC @
TC=80℃
饱和压降
VCE(sat)typ.
最大?#32435;?#21151;率
PD max
关断能量损耗典型值
Eoff typ.
Tj=125℃
最大结-壳热阻
Rth(j-c)
max.(℃/W)
(V) (A) (V) (W) (mJ)
MG100HF06C1 C1 600 105 1.9 625 3.5 0.1
MG100HF12C1 C1 1200 100 1.9 415 7.9 0.13
MG100HF12C2 C2 1200 100 3.3 415 5.8 0.1
MG100HF12MRC1 C1 1200 100 1.9 415 10.1 0.1
MG100U12GJ GJ 1200 100 1.9 690 10.8 0.15
MG100UZ12GJ GJ 1200 100 1.9 690 10.8 0.18
MG150HF12C1 C1 1200 150 1.7 625 14.5 0.1
MG150HF12C1 C1 1200 150 1.7 625 14.5 0.1
MG150HF12MRC2 C2 1200 150 2 880 9.6 0.085
MG200HF12MRC2 C2 1200 200 2 1150 21.6 0.045
MG300HF12C2 C2 1200 300 1.9 1600 34.7 0.045
MG50HF12C1 C1 1200 50 1.8 500 5.7 0.15
MG75HF12C1 C1 1200 75 1.8 625 7.8 0.1
MG75HF12MRC1 C1 1200 75 1.8 625 7.8 0.1
MG75HF17C1 C1 1700 75 2.3 440 17.2 0.125
15 30 1/1           
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